| 저온 In-situ doped SiGe 에피성장

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문서번호	PLA01201702	작성일	2017. 06. 01.
소속	고려대학교	담당자	유현용
연락처	010-8589-8968	이메일	yuhykr@korea.ac.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	저온 In-situ doped SiGe 에피성장	공정분류	Deposition
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : 3차원 적층 구조에 적용 가능한 저온의 In-situ doped SiGe 에피 성장 기술을 확보하고 최적의 필름 특성을 얻기 위한 기반을 다짐 ○ 공정 용도 : 추후 selective epitaxial growth (SEG)와 raised source/drain (RSD) 기술을 적용하기 위한 선행 연구임
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등) ○ 공정 특성
3. 공정순서
4. 공정 조건