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| 저온 In-situ doped SiGe 에피성장

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문서번호 PLA01201702 작성일 2017. 06. 01.
소속 고려대학교 작성자 김승근

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 저온 In-situ doped SiGe 에피성장 공정분류 Deposition
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : 3차원 적층 구조에 적용 가능한 저온의 In-situ doped SiGe 에피 성장 기술을 확보하고 최적의 필름 특성을 얻기 위한 기반을 다짐

○ 공정 용도 : 추후 selective epitaxial growth (SEG)와 raised source/drain (RSD) 기술을 적용하기 위한 선행 연구임
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)

○ 공정 특성

3. 공정순서
4. 공정 조건