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| ALD 전극을 이용한 게이트 스택 형성

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문서번호 PLA01201708 작성일 2018. 12. 10.
소속 성균관대학교 담당자 김형섭
연락처 010-8601-3906 이메일 hsubkim@skku.edu

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 ALD 전극을 이용한 게이트 스택 형성 공정분류 Deposition
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : 본딩 기반 적층 공정 시 필요한 CMP된 초박막 Si 채널 상에서 저온 게이트 스택 형성 및 전기적 특성 평가

○ 공정 용도 : 3차원 적층구조 소자 구현을 위한 상부 반도체 소자 제작
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)

 




○ 공정 특성 

     - 1분 이하의 에칭 시간의 경우 frequency dispersion, interface state density 특성 측면에서 가장 우수한 결과를 보임.
3. 공정순서
4. 공정 조건