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| 본딩 기반 저온 기판 및 채널층 전사

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문서번호 PLA01201709 작성일 2018. 12. 14.
소속 한양대학교 담당자 최창환
연락처 010-8721-8062 이메일 cchoi@hanyang.ac.kr

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 본딩 기반 저온 기판 및 채널층 전사 공정분류 3차원 본딩 및 저온 단위 공정
1. 공정 목적 및 용도
본딩 기반의 저온 기판 및 채널 층 전사 공정으로서 기존 TSV의 μm 급 Si 기판 및 채널층을 얇은 수백 nm급 기판을 사용하여 소비 전력을 감소 시킬 수 있는 Monolithic 3차원 적층 구조 형성을 위한 저온 플랫폼을 확보하는 목적을 가지며 이를 통해 다양한 반도체 소자, 디스플레이, 센서 및 MEMS 분야의 3차원화를 가능하게 함.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 결과물(사진)

- 저온 기반 Bulk & Pattern wafer 본딩 기판 및 소자 채널층 전사 결과

○ 공정 결과물 특성

- 본딩 기반 저온 전사 기판 및 소자 채널층 두께 & 거칠기 


3. 공정순서
4. 공정 조건