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| EUV 투과도 측정

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문서번호 PLA03201703 작성일 2017. 09. 19.
소속 한양대학교 작성자 한양대학교

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 EUV 투과도 측정 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적

 노광 공정 적용을 위한 펠리클의 EUV 고투과도 확보

○ 공정 용도

 EUVL에서 펠리클을 적용했을 때, 공정 수율을 높이기 위해서는 높은 EUV 투과도를 확보해야 함. 따라서 고투과도 EUV 펠리클 개발을 위한 13.5nm 파장에서의 투과도 측정
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)



○ 공정 특성

1. 측정 데이터

 반사/회절된 포톤을 CCD 카메라를 통해 2차원 이미지로 캡쳐하므로, 반사도 뿐만 아니라 멤브레인 아래에 있는 반사막 상의 패턴 형상에 대한 다양한 정보도 확인 가능 (Through-pellicle 마스크 검사 기능)
3. 공정순서
4. 공정 조건


기타

- Stablizer system 적용으로 신뢰성 확보

- High-precision stage 적용 – 펠리클 투과도 균일도 확인 가능 (6“ wafer 로딩 가능)

- 측정 가능 데이터 : EUV 마스크 이미지 전사 특성 분석 가능 (Image contrast, critical dimension(CD), normalized image log slope (NILS)) 추가적으로, 마스크 회절 효율, 위상 정보 측정 가능