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| Top-down 방식 실리콘 나노와이어센서 공정플랫폼

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문서번호 PLA04201701 작성일 2017. 09. 01.
소속 나노종합기술원 작성자 형정환

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 Top-down 방식 실리콘 나노와이어센서 공정플랫폼 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 

  일반적인 필름에 비해 감도가 좋은 나노와이어를 보통의 실리콘 웨이퍼를 사용하여 구현하고, 다용도의 대면적 저가형 CMOS-compatible 실리콘 나노와이어 센서를 제작하고자 함

○ 공정 용도 

 다용한 센서에 활용 가능한 실리콘 나노와이어 소자 제작 (gas, humidity, chemical, bio etc.)
2. 공정 구조 및 특성


○ 공정 특성 

보통의 실리콘 웨이퍼를 이용하기 때문에 반도체 공정장비의 활용이 용이하고, 저가의 패터닝 공정장비만으로도 나노소자패턴 형성이 용이함. 그 중에서도 실리콘 나노와이어의 두께를 조절하는 공간 형성 공정이 중요함.



ex) 

※ 센서 소자의 전기적 특성

 - 전류범위 : 1 V 전압 기준 수십 uA 흐름.

※ 가스 센서

 - 센싱 타겟 물질 : 목표 - H2 gas.

 - 센싱 허용 범위 : 목표치 - 0.1% H2 sensing sensitivity,

                          목표치 - 0.5% H2 sensing selectivity.

※ bio 센서

- (계획중)
3. 공정순서
4. 공정 조건