| Interposer 개발 제작 공정도

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문서번호	PLA05201706	작성일	2017. 05. 30.
소속	나노종합기술원	담당자	임부택
연락처	010-9884-4247	이메일	btlim@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Interposer 개발 제작 공정도	공정분류	단위 공정
1. 공정 목적 및 용도
Device wafer의 측정 pad가 Vertical방향으로 형성되어 있을 경우 Wafer level packaging 공정 방법임.
2. 공정 구조 및 특성
공정 결과물(사진) ○ Interposer (Daisy Chain) - Wafer thickness : 300um 이내 - Wafer 양면 pattern 형성 - 전기적 특성 : Daisy chain의 전기적 연결
3. 공정순서
4. 공정 조건