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| AlGaN/GaN HEMT 센서 소자 플랫폼

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문서번호 PLA06201702 작성일 2017. 8. 31.
소속 한국나노기술원 작성자 고유민

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 AlGaN/GaN HEMT 센서 소자 플랫폼 공정분류 소자
1. 공정 목적 및 용도


○ AlGaN/GaN 고전자이동도트랜지스터 (high electron mobility transistor, HEMT) 센서 소자 플랫폼은 AlGaN/GaN HEMT 에피 웨이퍼 상에 트랜지스터형 센서 소자를 구현하는 일련의 공정을 말함

○ 센서 소자는 트랜지스터의 게이트 위치에 감지 물질을 배치한 형태로, 표적 물질이 감지 물질에 부착될 때 감지 물질의 전위 변화가소자의 전류 변화를 야기하는 방식임

○ AlGaN/GaN HEMT 센서는 실리콘 기반 센서와 비교할 때 화학적, 물리적으로 안정적이며 감도가 우수한 장점이 있음

○ 이 플랫폼은 4개의 라이브러리로 구성되어 있으며, 표적 물질에 따라 가스용과 액상용, 소자 종류에 따라 FET형, Diode형으로 나뉨

○ 소자의 감지 영역과 측정 패드를 제외한 나머지 부분은 절연막(silicon nitride)으로 보호되어 있으며,사용자가 원하는 감지 물질을 부착할 수 있도록 감지 영역만 열린 포토 레지스트를 추가하여 제공할 수있음
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조



○ 공정 특성

- 라이브러리 L01을 사용하여 제작한 수소 센서 (수소 감지 물질: Pt)


3. 공정순서
4. 공정 조건