서브탑

| AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor 에피 플랫폼

장비검색
문서번호 PLA06201705 작성일 2018. 04. 02.
소속 한국나노기술원 작성자 김종민

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor 에피 플랫폼 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
  - 다양한 센서분야에 적용되고 있는 갈륨비소 기반 반도체 소자의 성능은 소자를 구성하는 반도체 에피층의 결정품질에 의해 결정되므로, 이를 위한 고품위 갈륨비소 기반 화합물 반도체 에피 웨이퍼의 성장 기술 개발이 필수적임. 본 공정은 갈륨비소 기반 2차원 전자가스(2-dimensional electron gas)를 이용한 Hall 센서 에피 웨이퍼 제작을 위한 공정 기술로 다양한 구조의 고감도 센서 개발을 위한 에피 웨이퍼로 활용 가능함.
2. 공정 구조 및 특성
  - 2인치 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor on GaAs substrate



  - 6인치 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor on GaAs substrate


○ 공정 특성


  - 공정장비 : MOCVD (Metalorganic chemical vapor deposition)

             ?2인치: 1회 공정에 2인치 3장 성장 가능.

             ?6인치: 1회 공정에 6인치 3장 성장 가능.

 

  - 사용 기판 : 2인치 및 6인치 GaAs wafer

             ?2인치: Single-side polished GaAs wafer

             ?2인치: Double-side polished GaAs wafer

             ?Surface orientation : (100)±0.5°

  - 공정결과물





3. 공정순서

4. 공정 조건