서브탑

| 고온 안정성 LPCVD Poly Si 전극 표준 공정 플랫폼

장비검색
문서번호 PLA06201708 작성일 2018. 03. 26.
소속 나노융합기술원 작성자 최경근

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 고온 안정성 LPCVD Poly Si 전극 표준 공정 플랫폼 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도

○ 공정 목적 : MEMS 기반의 압력센서 제작하기 위해 열적으로 안정한 전극이 필요. 센서 주변 온도 증가에 따라, 센서 전극의 저항 증가는 센서의 감도 저하를 가져올 수 있고, 센서의 신뢰성을 높이기 해서는 가능한 거의 0에 가까운 temperature coefficient of resistance (TCR) 값을 갖는 박막과 신뢰성 있는 오믹 콘택을 갖는 박막 개발이 필요. 이때 TCR값은 아래와 같이 정의됨.

TCR = 1/R(dR/dT)


○ 공정 용도 : 300 ℃ 이상 고온에서 신뢰성을 갖고, 고온 동작 가능한 압저항형 압력센서를 제작을 위해 poly Si 전극은 다양한 물리적, 전기적 특성이 요구됨. 극한 환경에 압력센서를 적용하기 위해, 600℃ 까지 TCR값을 측정하였고, 이 박막 전극을 고온에서 적용 가능한 압저항형 압력센서 제작에 사용하고자 하였음.

2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등) :in-situ 도핑 LPCVD poly Si 박막을 압저항형 압력센서의 전극으로 사용하여 물리적·전기적 특성을 평가함.



○ 공정 특성 :  in-situ P 도핑 poly Si 박막은 PH3 기체를 사용해 50 torr압력, 700℃ 온도에서 약 1020 (atom/cm3)의 농도로 0.2 um ~ 1 um 두께로 증착함.



      ※ LPCVD poly Si 증착 조건 및 RTA (rapid thermal anneal) 처리 조건.




3. 공정순서

4. 공정 조건