| 초박막 Si 채널층 전사 본딩

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문서번호 PLA01201703 작성일 2017. 06. 01.
소속 한양대학교 담당자 최창환
연락처 010-8721-8062 이메일 cchoi@hanyang.ac.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 초박막 Si 채널층 전사 본딩 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : 수백 nm급 박막 결정질 Si을 다른 웨이퍼 기판 위에 전사하여 채널층으로 사용할 수 있도록 함

○ 공정 용도 : 다양한 반도체 소자, 디스플레이, 센서 및 MEMS 분야의 3차원화를 가능하게 함
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)

▷저온 기반 Bulk & Pattern wafer 본딩 기판 및 소자 채널층 전사 결과



○ 공정 특성 : 본딩 기반 저온 전사 기판 및 소자 채널층 두께 & 거칠기
3. 공정순서
4. 공정 조건


기타

* 3차원 적층공정을 위한 기판 및 채널층 전사 시 bottom wafer pattern 밀도 및 크기 기재