| M3D 상부소자용 저온기반 대면적 산화물 박막 트랜지스터 표준공정
| 문서번호 | PLA01202002 | 작성일 | 2020. 5. 29. |
| 소속 | 나노종합기술원 | 담당자 | 설우석 |
| 연락처 | 042-366-1605 | 이메일 | wssul@nnfc.re.kr |
[ 공 정 규 격 서 ] |
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| 공정명 | M3D 상부소자용 저온기반 대면적 산화물 박막 트랜지스터 표준공정 | 공정분류 | 단위공정 |
| 1. 공정 목적 및 용도 | |||
| 8인치 기반 대면적 M3D (Monolithic 3-Dimensional IC) 적층구조에 융합하기 적합한 상부소자 특히 광학센서로 활용 가능한 저온 공정 기반 산화물 박막 트랜지스터 표준공정을 제시함. | |||
| 2. 공정 구조 및 특성 | |||
○ 공정 결과물  |
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| 3. 공정순서 | |||
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| 4. 공정 조건 | |||
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