| Doped Poly-Si 기반 nanowire 표준공정

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문서번호	PLA03202007	작성일	2020. 05. 29.
소속	나노종합기술원	담당자	이종원
연락처	010-5577-3449	이메일	temuchin80@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Doped Poly-Si 기반 nanowire 표준공정	공정분류	소자/센서
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 Undoped Poly-Si 대신 Doped Poly-Si 으로 변경함으로써 나노와이어 공정 재현성 개선 ○ 공정 용도 나노와이어 공정을 통하여 다양한 가스 물질을 센싱하기 위한 센서 구현
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 목적 ○ 공정 특성 - 나노와이어 제작 Wafer : 8“, 나노와이어 직경 30 ~ 70 nm - 사전구조물 SiO2/SiN 두께 : >= 120/240 nm - Doped Poly-Si 증착 조건: Doped Poly-Si 두께 ~ 500 nm - Doped Poly-Si 도핑 조건: >= 1020 cm-3, Phosphorus - 나노와이어 소자 전류범위: 1 V 전압 기준 수십 nA ~ uA
3. 공정순서
4. 공정 조건