| Poly-Si nanowire 희생층 형성 표준공정

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문서번호	PLA03202008	작성일	2020. 05. 29.
소속	나노종합기술원	담당자	이종원
연락처	010-5577-3449	이메일	temuchin80@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Poly-Si nanowire 희생층 형성 표준공정	공정분류	소자/센서
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 고재현성 나노와이어 구현을 위하여 안정적인 희생층 (sacrificial layer) 형성 공정 필수 ○ 공정 용도 Si 나노와이어 공정을 통하여 다양한 가스 물질을 센싱하기 위한 센서 구현
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 용도 ○ 공정 용도 - 나노와이어 제작 Wafer : 8“ inch Si 기판, 나노와이어 직경 30~70nm - Poly-Si 도핑 조건: ? Dose 1014 ~ 1015 cm-2, Phosphorus - 나노와이어 소자 전류범위: 1 V 전압 기준 수십 nA ~ uA
3. 공정순서
4. 공정 조건