| Via 집적형 원자스위치를 위한 하부전극 형성용 표준공정(Etch 구조)

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문서번호 SA2019006 작성일 2019. 11. 28.
소속 나노종합기술원 담당자 설우석
연락처 042-366-1605 이메일 wssul@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 Via 집적형 원자스위치를 위한 하부전극 형성용 표준공정(Etch 구조) 공정분류 단위공정
1. 공정 목적 및 용도
M3D 상층부와 하층부를 연결하는 Via를 통해 저전력 스위칭 동작이 가능한 저항변화 원자스위치를 집적하는 공정을 융합하기 위하여 원자스위치 집적이 가능한 Global Via를 형성방법과 Global Via에 원자스위치의 핵심 영역인 하부전극을 형성하는 표준공정을 제시함.

본 표준공정은 하부 전극을 Etch 공정을 이용하여 형성하는 방법을 제시하며, M3D 제작 설계 시 상기 방법과 하부전극 패턴 형성 후 Evaporation을 통한 Lift-off 공정을 적용하는 Lift-off 구조 중에 선택, 사용이 가능함.
2. 공정 구조 및 특성
3. 공정순서
4. 공정 조건