| 단일광자검출센서용 저저항 Contact 형성을 위한 표준공정
| 문서번호 | SA2019011 | 작성일 | 2019. 11. 29 |
| 소속 | 나노종합기술원 | 담당자 | 설우석 |
| 연락처 | 042-366-1605 | 이메일 | wssul@nnfc.re.kr |
[ 공 정 규 격 서 ] |
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| 공정명 | 단일광자검출센서용 저저항 Contact 형성을 위한 표준공정 | 공정분류 | 모듈공정 |
| 1. 공정 목적 및 용도 | |||
| 나노 실리콘 기반 단일광자검출센서의 저저항 Contact 형성을 위한 표준공정 | |||
| 2. 공정 구조 및 특성 | |||
○ 공정 구조 ○ 공정 특성  - Construction Analysis : Contact 단면 분석 (Contact Open 유무, Etch Profile, Silicon Loss, Damage) - Resistance Analysis : 소자 제작 후 Kelvin Type & Chain Type TP Contact Resistance 분석 (1 ~ 30Ω) |
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| 3. 공정순서 | |||
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| 4. 공정 조건 | |||
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