| 웨이퍼 레벨 패키징용 LFT(Lateral Feed Through) 배선 공정

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문서번호	PLA05201701	작성일	2017. 01. 15.
소속	나노종합기술원	담당자	김태현
연락처	010-4507-4346	이메일	thkim@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	웨이퍼 레벨 패키징용 LFT(Lateral Feed Through) 배선 공정	공정분류	공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 웨이퍼레벨 패키징의 정의 - CMOS/MEMS 공정을 통해 제작된 센서 소자 등의 패키징을 위해 Cap 웨이퍼를 사용하여 웨이퍼 레벨 본딩 기술로 패키징 하는 것임. ○ 필요성 및 용도 - 제작된 센서 소자의 보호 및 PCB에 모듈형성을 위해 세라믹 기판 등을 사용하여 패키징을 하는 기존방식 대신 웨이퍼 상태에서 capping 및 배선 형성을 하여 초소형화 경량화가 가능한 장점이 있음.
2. 공정 구조 및 특성
○ 특징 - 본 기술은 Cap wafer에 cavity를 형성하여 소자 환경을 진공(< 1 torr) 밀봉하는 것이 특징이며, 센서 신호 취득을 위한 배선이 lateral방향으로 본딩 line 아래에 형성되어 있음.
3. 공정순서
4. 공정 조건
공정 결과물 공정 결과물 특성 ○ LFT(Lateral Feed Through) WLP(Wafer Level Package) 배선 - 접합 강도 : > 70 MPa - Cavity 내부 진공도 특성 : < 1 torr - LFT 배선 저항 : < 5 ohm