| LFT(Lateral Feed Through) 개발 제작 공정도
문서번호 | PLA05201707 | 작성일 | 2017. 05. 22 |
소속 | 나노종합기술원 | 담당자 | 김태현 |
연락처 | 010-4507-4346 | 이메일 | thkim@nnfc.re.kr |
[ 공 정 규 격 서 ] |
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공정명 | LFT(Lateral Feed Through) 개발 제작 공정도 | 공정분류 | 공정 |
1. 공정 목적 및 용도 | |||
Device wafer의 측정 pad가 lateral방향으로 형성되어 있을 경우 Wafer level packaging 공정 방법임. |
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2. 공정 구조 및 특성 | |||
공정 결과물 특성 ○ LFT WLP microbolometer - Bias 범위 : 1V 이내 - Current measure(sampling) : Pulse bias 100msec(40usec, 4000sample) - 규격 : Thermal time constant over 10mse - 센싱 허용 범위 : Vacuum 1atm to 10mtorr |
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3. 공정순서 | |||
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4. 공정 조건 | |||
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