○ M3D 상층부와 하층부를 연결하는 Via 공정 및 구조를 이용하여, NNFC 공정으로 제작된 하부 sensing circuit 과 상부 MGFET 소자와의 inter-connection을 위한 Via 내에 저전력 스위칭 동작이 가능한 저항변화 원자스위치를 집적하는 공정을 개발하는 것을 목표로 하며, CMOS 기술 기반 하에 구현된 원자스위치의 동작 및 M3D 상층부와 하층부의 기능적 제어 여부를 확인함. 개발된 Via-집적형 원자스위치는 사용자의 용도에 따라 분리된 기능부들을 필요에 맞게 선택적으로 연결할 수 있는 저전력 플랫폼 소자로서 활용될 수 있음.