| 웨이퍼 레벨 패키징용 VFT(Vertical Feed Through) 배선 공정

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문서번호 PLA05201709 작성일 2018. 12. 11
소속 나노종합기술원 담당자 양충모
연락처 010-6437-0638 이메일 cmyang@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 웨이퍼 레벨 패키징용 VFT(Vertical Feed Through) 배선 공정 공정분류 배선 공정
1. 공정 목적 및 용도

○ 웨이퍼레벨 패키징의 정의



- CMOS/MEMS 공정을 통해 제작된 센서 소자 등의 패키징을 위해 Cap 웨이퍼를 사용하여 웨이퍼 레벨 본딩 기술로 패키징 하는 것임.


○ 필요성 및 용도



- 제작된 센서 소자의 보호 및 PCB에 모듈형성을 위해 세라믹 기판 등을 사용하여 패키징을 하는 기존 방식 대신 웨이퍼 상태에서 capping 및 배선 형성을 하여 초소형화 경량화가 가능한 장점이 있음.
2. 공정 구조 및 특성
○ 특징



- 본 기술은 Cap wafer에 cavity를 형성하여 소자 환경을 진공(< 1 torr) 밀봉하는 것이 특징이며, 센서 신호 취득을 위한 배선이 Vertical 방향으로 Glass의 Tapered 가공으로 형성함.
3. 공정순서
4. 공정 조건
공정 결과물(그림 및 사진)



공정 결과물(그림 및 사진)

○ VFT(Vertical Feed Through) WLP(Wafer Level Package) 배선

- 공진주파수 : 16 kHz

- Cavity 내부 진공도 특성 : < 10 mtorr

- Q-Factor : 30,000 이상