| 고품질 SiOx Barrier film 공정플랫폼

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문서번호	ETC2024002	작성일	2024. 07. 01.
소속	한국생산기술연구원	담당자	김은미
연락처	010-5577-3449	이메일	temuchin80@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	고품질 SiOx Barrier film 공정플랫폼	공정분류	박막
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적: 유연 OLED 소자 수명 향상을 위한 수분, 산소 고차단성 barrier film 공정 기술 ○ 용도 : OLED에 사용되는 유기소재는 수분과 산소에 대한 열화 작용으로 성능과 수명에 직접적인 영향을 미치기 때문에 수명/효율저하 문제를 극복하기 위한 수분, 산소 차폐막으로 활용되고 있으며, 유연 OLED 발광 소자의 경우 물리적인 안정적 특성을 갖는 gas 및 수분/산소 차단용 barrier film 형성 기술이 필수적임
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조 - 기판 : Flexible 기판 (PEN, PET, PI 등), Rigid 기판 (Si wafer, glass) - 기판 사이즈 : Max. 370mm×470mm (2G급) - 사용 장비 : PECVD, WVTR measurement, UV-Vis spectrophotometer, AFM, XRR - 공정 변수 : Precursor flow rate, O2 flow rate, RF power, Process gap, Process pressure - 요구 사양 : 수분 투습율(WVTR) 10-5 g/m2/day 이하, 표면 거칠기(Ra) 2nm 이하, 밀도(density) 2.0 g/cm3 이상 필요 ○ 공정 특성 - Barrier film 제작 - Barrier film 평가
3. 공정순서
4. 공정 조건