| SiC 전극 플랫폼공정

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문서번호 PLA06201704 작성일 2017. 03. 28.
소속 나노종합기술원 담당자 강일석
연락처 042-366-1735 이메일 iskang@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 SiC 전극 플랫폼공정 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
IoT 시대를 맞아 고온(600℃ 이상)과 같은 극한 환경에서 동작하는 소자 및 센서에 대한 요구가 증가하고 있으며 이를 위한 고온 내성 전극 형성 기술 개발이 필수적임. 본 공정은 SiC 전극의 제작을 위한 공정기술로 표면미세가공(surface micromachining) 기반의 센서 개발을 위한 전극으로 활용 가능함.
2. 공정 구조 및 특성
3. 공정순서
4. 공정 조건