| AlGaN/GaN HEMT 에피 플랫폼

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문서번호 PLA06201701 작성일 2017. 8. 31.
소속 한국나노기술원 담당자 조주영
연락처 031-546-6326 이메일 chuyoung.cho@kanc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 AlGaN/GaN HEMT 에피 플랫폼 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
- 다양한 응용분야에 적용되고 있는 질화갈륨 기반 반도체 소자의 성능은 소자를 구성하는 반도체 에피층의 특성에 의해 결정되므로 이를 위한 고품위 질화갈륨 에피 웨이퍼의 성장 기술 개발이 필수적임.

본 공정은 질화갈륨 기반 HEMT (High-electron-mobility transistor) 에피 웨이퍼의 제작을 위한 공정기술로 다양한 구조의 전자소자 및 고감도 센서 개발을 위한 에피 웨이퍼로 활용 가능함.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조

- 2 inch AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate

- 4 inch AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate



○ 공정 특성



- 공정장비 : MOCVD (Metalorganic chemical vapor deposition)

1회 공정에 2인치 21장 또는 4인치 5장 성장 가능

- 사용 기판 : 2인치 및 4인치 사파이어 웨이퍼

양면/단면 폴리싱 사파이어

Surface orientation : c-plane (0001)



- 공정결과물



- 4인치 AlGaN/GaN HEMT 에피 웨이퍼의 전기적 구조적 특성
3. 공정순서
4. 공정 조건