○ AlGaN/GaN 고전자이동도트랜지스터 (high electron mobility transistor, HEMT) 센서 소자 플랫폼은 AlGaN/GaN HEMT 에피 웨이퍼 상에 트랜지스터형 센서 소자를 구현하는 일련의 공정을 말함

○ 센서 소자는 트랜지스터의 게이트 위치에 감지 물질을 배치한 형태로, 표적 물질이 감지 물질에 부착될 때 감지 물질의 전위 변화가 소자의 전류 변화를 야기하는 방식임.

○ AlGaN/GaN HEMT 센서는 실리콘 기반 센서와 비교할 때 화학적, 물리적으로 안정적이며 감도가 우수한 장점이 있음.

○ 이 플랫폼은 4개의 라이브러리로 구성되어 있으며, 표적 물질에 따라 가스용과 액상용, 소자 종류에 따라 FET형, Vertical Heterostructure Diode (VHD)형으로 나뉨.

○ 소자의 감지 영역과 측정 패드를 제외한 나머지 부분은 절연막(silicon nitride)으로 보호되어 있으며, 사용자가 원하는 감지 물질을 부착할 수 있도록 포토 레지스트로 감지 영역만 열린 상태로 제공됨.

○ 공정 구조○ 공정 특성

- 라이브러리 VER. 3.2 - Gas 사용하여 제작한 수소 센서 (수소 감지 물질: Pt)