| Low Stress SiNx 절연막 표준 공정 플랫폼

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문서번호	PLA06201709	작성일	2018. 03. 26.
소속	나노융합기술원	담당자	최경근
연락처	054-279-0212	이메일	choikk@postech.ac.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Low Stress SiNx 절연막 표준 공정 플랫폼	공정분류	공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : MEMS 기반의 압력센서 제작하기 위해 높은 내압특성과 낮은 스트레스 값을 갖는 절연막 확보가 필요. 특히 PECVD SiNx과 SiO2 막의 응력과 식각 속도는 정전 용량형 압력 센서의 전극 특성에 많은 영향을 줌 ○ 공정 용도 : 압력센서 제작시 전극의 절연막, 희생막, 보호막 역할을 위해 low stress 절연막 필요. 특히 정전 용량형 압력센서는 전극과 전극 사이에 간격이 좁고, 크기가 켜 더욱 필요
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등) : 금속-절연체-금속 (MIM) 구조에서 항복 전압 (BV, Breakdown Field Voltage) 및 커패시턴스 온도 계수 - TCC=1/C·(dC/dT) - 30nm SiNx/30 nm ALD Al2O3 구조 (750℃, 90s 열처리 후)의 TCC 측정값(@ 1KHz): - 83 (ppm/℃) - 30nm ALD Al2O3 구조 (750℃, 90s 열처리 후)의 TCC 측정값(@ 1KHz): 9,184 (ppm/℃) ○ 증착온도가 SiNx 박막 BOE (10:1) 식각 속도에 미치는 영향 ○ RTA 열처리 조건이 SiNx 박막의 Reflective Index (RI) 및 식각 속도에 미치는 영향 ※ 센서 적용 특성
3. 공정순서
4. 공정 조건