| AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor 에피 플랫폼

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문서번호 PLA06201705 작성일 2018. 04. 02.
소속 한국나노기술원 담당자 김종민
연락처 031-546-6325 이메일 jongmin.kim@kanc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor 에피 플랫폼 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도
- 다양한 센서분야에 적용되고 있는 갈륨비소 기반 반도체 소자의 성능은 소자를 구성하는 반도체 에피층의 결정품질에 의해 결정되므로, 이를 위한 고품위 갈륨비소 기반 화합물 반도체 에피 웨이퍼의 성장 기술 개발이 필수적임. 본 공정은 갈륨비소 기반 2차원 전자가스(2-dimensional electron gas)를 이용한 Hall 센서 에피 웨이퍼 제작을 위한 공정 기술로 다양한 구조의 고감도 센서 개발을 위한 에피 웨이퍼로 활용 가능함.
2. 공정 구조 및 특성
- 2인치 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor on GaAs substrate



- 6인치 AlGaAs/GaAs 2DEG-type Hall sensor on GaAs substrate


○ 공정 특성


- 공정장비 : MOCVD (Metalorganic chemical vapor deposition)

?2인치: 1회 공정에 2인치 3장 성장 가능.

?6인치: 1회 공정에 6인치 3장 성장 가능.



- 사용 기판 : 2인치 및 6인치 GaAs wafer

?2인치: Single-side polished GaAs wafer

?2인치: Double-side polished GaAs wafer

?Surface orientation : (100)±0.5°

- 공정결과물
3. 공정순서

4. 공정 조건