| Poly-Si nanowire 희생층 제거 표준공정

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문서번호 PLA03202009 작성일 2020. 05. 29.
소속 나노종합기술원 담당자 이종원
연락처 010-5577-3449 이메일 temuchin80@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]

공정명 Poly-Si nanowire 희생층 제거 표준공정 공정분류 소자/센서
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적

고재현성 나노와이어 구현을 위하여 안정적인 희생층 (sacrificial layer) 형성 공정 필수


○ 공정 용도

Si 나노와이어 공정을 통하여 다양한 가스 물질을 센싱하기 위한 센서 구현
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조


○ 공정 특징

- 나노와이어 제작 Wafer : 8“ inch Si 기판, 나노와이어 직경 30~70nm
- Poly-Si 도핑 조건: >= Dose 1014 ~ 1015 cm-2, Phosphorus
- 나노와이어 소자 전류범위: 1 V 전압 기준 수십 nA ~ uA
3. 공정순서
4. 공정 조건