| 하부 공동을 갖는 Thin LSN 분할 박막 제작 표준 공정

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문서번호	PLA03202001	작성일	2020. 05. 29.
소속	나노융합기술원	담당자	김인철
연락처	010-7518-6637	이메일	ickim@postech.ac.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	하부 공동을 갖는 Thin LSN 분할 박막 제작 표준 공정	공정분류	단위공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 Poly-Si, Pt 등의 박막 히터 제작 시 박막 주변으로의 열손실을 막기 위한 하부 공동을 갖는 분할 박막 제작 공정 ○ 공정 용도 응답 속도가 빠르고 열 손실이 최소화된 Thermal 방식 유량계나 가스 센서용 히터를 제작하는 용도로 사용
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조 그림1 처럼 실리콘 상부의 박막에 대해서 하부의 공동(Cavity)을 두고 박막을 분할하는 구조로서 Line 형 LSN 박막 위에 히터를 둘 경우 최소한의 소모 전력만으로도 충분한 온도를 충분한 속도로 제어할 수 있음 이러한 공정은 먼저 실리콘 상에 LSN을 증착하고, 일부를 라인 형태가 되도록 제거한 후 드러난 실리콘 부분을 선택적으로 DRIE 한 후, 마지막으로 XeF2를 이용하여 LSN 하부실리콘을 제거하면 됨 ○ 공정 특성 LSN Line Aspect ration = 길이/폭 <10 ○ 공정 결과물
3. 공정순서
4. 공정 조건