| TSV를 이용한 실리콘 Interposer 제작 표준

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문서번호	PLA03202003	작성일	2020. 05. 29.
소속	나노융합기술원	담당자	김인철
연락처	010-7518-6637	이메일	ickim@postech.ac.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	TSV를 이용한 실리콘 Interposer 제작 표준	공정분류	모듈공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 다양한 센서 및 ROIC를 하나의 실리콘 기판 위에 모아 연결하고, 전체를 한꺼번에 EMC 몰딩을 하여 하나의 단일 패키징이 가능하도록 하는 실리콘 Interposer 제작 ○ 공정 용도 양한 종류의 센서, ROIC를 별개로 제작하면서도 전체 패키지 크기 감소, 신호 전달 길이 감소, 패키지 비용 감소가 필요한 스마트 센서 개발
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조 그림1 처럼 실리콘을 관통하는 홀 가공후, 홀 벽면을 절연함. 도금용 시드 레이어를 전체 웨이퍼에 증착하고 DFR을 이용, 필요 부분 시드 레이어를 노출함. 이후 Cu 도금으로 TSV를 생성하고 TSV를 연결하는 전 후면 RDL을 생성함. 최종적으로 원하는 위치에 센서 및 ROIC를 부착하기 위한 솔더볼 패드를 형성함. ○ 공정 특성 실리콘 소재를 이용한 RDL 구현 솔더볼 패드를 제공, 다양한 칩의 본딩 용이 함 ○ 공정 결과물
3. 공정순서
4. 공정 조건