| 선택적 에피 성장된 저온 In-situ doped SiGe의 초저저항 S/D 컨택 형성 공정도

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문서번호	SA2019002	작성일	2019. 11. 26.
소속	고려대학교	담당자	유현용
연락처	010-8589-8968	이메일	yuhykr@korea.ac.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	선택적 에피 성장된 저온 In-situ doped SiGe의 초저저항 S/D 컨택 형성 공정도	공정분류	모듈공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 미래 소자 집적화 기술로 각광받고 있는 3차원 적층 소자 구조 (M3D)에서 하부층 소자의 열화 현상을 방지하기 위해 550℃ 이하 저온에서 대면적 patterned Si 위 선택적 에피 성장(SEG)된 in-situ doped SiGe층은 현저히 높은 컨택 저항을 가지므로 소자의 전기적 특성 저하에 영향이 큼. 따라서 SiGe층의 높은 컨택 저항을 해결하기 위해 저온 Ni germano-silicide (NiSiGe) 컨택 형성 기술을 확보하고자 함. ○ 공정 용도 550℃ 이하 저온에서 대면적 patterned Si위 선택적 에피 성장된 in-situ doped SiGe 층에 저온 Ni germano-silicide 컨택 형성 기술을 도입하여 저온 공정으로 하부 소자의 열화 현상을 방지하며 5 x 10-8 Ω·cm2 이하의 초저저항 컨택을 형성한 고성능의 소자를 제작하기 위함.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조 ○ 공정 특성 선택적 에피 성장된 SiGe층에 Ni germano-silicide (NiSiGe) 컨택 형성 공정 평가 - 분석 장비 : Keithley 4200 (4-point measurement) - 최저 컨택 저항 : 9 x 10-9 Ω·cm2 (과제 목표 5 x 10-8 Ω·cm2 이하 달성) - Ni 두께 : 30 nm - 공정 어닐링 온도 : 450 ℃ (과제 목표 550 ℃ 이하 달성) - 공정 어닐링 시간 : 45 초
3. 공정순서
4. 공정 조건