| 박막 및 TSV를 갖는 구조 제작용 공정 플랫폼
문서번호 | SA2019013 | 작성일 | 2019. 11. 29 |
소속 | 나노융합기술원 | 담당자 | 김인철 |
연락처 | 010-7518-6637 | 이메일 | ickim@postech.ac.kr |
[ 공 정 규 격 서 ] |
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공정명 | 박막 및 TSV를 갖는 구조 제작용 공정 플랫폼 | 공정분류 | 모듈공정 |
1. 공정 목적 및 용도 | |||
○ 공정 목적 |
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2. 공정 구조 및 특성 | |||
○ 공정 구조 ![]() - 그림 3에는 이러한 구조 제작을 위한 전체 구조도를 나타네었는데, 먼저 사용될 웨이퍼는 적당한 두께로 CMP를 하고 절연과 박막 생성을 위한 LSN과 다양한 센서선으로 사용될 Poly-Si를 코팅함. - 이러한 웨이퍼에 대하여 DRI로 관통 구멍을 생성하고, 그 구멍에 적절한 코팅과 도금을 통하여 Cu 티에스브이를 생성함. 이때 티에스브이 절연을 위하여 티에스브이 전에 Thermal Oxide를 생성함 또한 추가로 Cu 티에스브이 생성 후 표면 평탄화 CMP 시에 표면 LSN 및 Poly-Si를 보호하기 위한 충분한 두께의 Pe-Oxide를 추가 코팅함. - 이러한 티에스브이 생성용 코팅 및 도금 공정 후에 웨이퍼 표면에 과도하게 돌출된 구리 도금 부분을 CMP로 평탄화 작업을 실시함. - 이후 전면 노출된 Pe-Oxide와 Poly-Si를 차례로 패턴 생성하여 센서 선을 구현하고, 센서와 티에스브이 연결용 Al Contact Pad도 생성함. - 센서 전면에 박막 부양을 위한 박막 하부 공동(Cavity) 생성을 위하여 센서선 주변 LSN을 제거하고 XeF2를 이용하여 박막 하부 실리콘을 제거함. - 웨이퍼 후면 티에스브이 위에 솔더볼 연결을 위한 Au/Ni 솔더패드를 코팅 및 도금 공정을 통하여 생성함. - 웨이퍼 다이싱을 하고, 각 분리된 다이를 ROIC에 솔더볼을 이용하여 연결함. - 최종적으로 ROIC와 외부 연결 피씨비는 와이어본딩 등으로 연결함. 이러한 공정을 통하여 센서가 생성된 웨이퍼 전면 와이어 본딩 같은 돌출 연결선 없이 후면 배선 연결을 통하여 센서를 주변 구동회로와 연결할 수 있음. ![]() ○ 공정 특성 |
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3. 공정순서 | |||
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4. 공정 조건 | |||
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