| Top-down 방식 실리콘 나노와이어센서 공정플랫폼

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문서번호	PLA04201701	작성일	2017. 09. 01.
소속	나노종합기술원	담당자	박재홍
연락처	042-366-1731	이메일	jhpark@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Top-down 방식 실리콘 나노와이어센서 공정플랫폼	공정분류	공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 일반적인 필름에 비해 감도가 좋은 나노와이어를 보통의 실리콘 웨이퍼를 사용하여 구현하고, 다용도의 대면적 저가형 CMOS-compatible 실리콘 나노와이어 센서를 제작하고자 함 ○ 공정 용도 다용한 센서에 활용 가능한 실리콘 나노와이어 소자 제작 (gas, humidity, chemical, bio etc.)
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 특성 보통의 실리콘 웨이퍼를 이용하기 때문에 반도체 공정장비의 활용이 용이하고, 저가의 패터닝 공정장비만으로도 나노소자패턴 형성이 용이함. 그 중에서도 실리콘 나노와이어의 두께를 조절하는 공간 형성 공정이 중요함. ex) ※ 센서 소자의 전기적 특성 - 전류범위 : 1 V 전압 기준 수십 uA 흐름. ※ 가스 센서 - 센싱 타겟 물질 : 목표 - H2 gas. - 센싱 허용 범위 : 목표치 - 0.1% H2 sensing sensitivity, 목표치 - 0.5% H2 sensing selectivity. ※ bio 센서 - (계획중)
3. 공정순서
4. 공정 조건