| Membrane-Gate FET 바이오센서를 위한 IGZO Selectivity 테스트

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문서번호 PLA01201706 작성일 2018. 12. 13.
소속 KAIST 담당자 전상훈
연락처 010-4658-5750 이메일 jeonsh@kaist.ac.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 Membrane-Gate FET 바이오센서를 위한 IGZO Selectivity 테스트 공정분류 공정
1. 공정 목적 및 용도

○ 공정 목적 : NNFC 공정을 이용해 SiO2와 IGZO 사이 Dry etch selectivity 확보를 목표로 함.

○ 공정 용도 : SiO2와 IGZO 사이 Selectivity를 확보하여 CMOS circuit이 구현된 Wafer에 Membrane-Gate FET 소자 제작에 Active layer로 IGZO를 이용하려 함.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)



○ 공정 특성 : 디자인 룰 포함

1. IGZO 공정 조건

- Pre-deposition 1시간 이후 1000sec Deposition

2. SiO2 공정 조건

- 250도에서 1000A Deposition (실제 1170A)

3. CHF3/O2 gas Dry etch 조건

- O2/(CHF3+O2)(%)를 0, 10, 20, 50으로 Dry etch 진행
3. 공정순서
4. 공정 조건