| 초저온 공정 기반 Membrane-Gate FET 바이오센서 소자 제작

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문서번호 PLA01201705 작성일 2017. 06. 01.
소속 KAIST 담당자 전상훈
연락처 010-4658-5750 이메일 jeonsh@kaist.ac.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 초저온 공정 기반 Membrane-Gate FET 바이오센서 소자 제작 공정분류 소자
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : Monolithic 3차원 집적을 위한 상부 저온소자(MG-FET) 개발

○ 공정 용도 : Monolithic 3차원 집적을 위한 상부 저온소자(MG-FET) 제작
2. 공정 구조 및 특성


○ 공정 특성 : 디자인 룰 포함

▷ 바이오센서 응용을 위한 MG-FET 기반의 마이크로머신 초음파 변환기

- 주파수 동작범위 : 20MHz

- 센싱 허용 범위 : 10㎁ ≤ Current Level ≤ 10㎂

※ 상부 Sensor의 Current 출력 Sensing 및 증폭을 위한 하부 구동회로 3차원 단일집적 예정
3. 공정순서
4. 공정 조건