| 단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Implantation Type Anode 구조)

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문서번호	PLA03202005	작성일	2020. 5. 29.
소속	나노종합기술원	담당자	설우석
연락처	042-366-1605	이메일	wssul@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Implantation Type Anode 구조)	공정분류	소자/센서
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 나노 실리콘기반 단일광자검출센서의 저저항, 고신뢰성 Frontside Implantation Type Anode 전극 제작을 위한 표준공정. Frontside Implantation Type Anode 전극 구조는 Implantation 되어 있는 Anode 전극에 단일광자검출센서에서 Generation된 전하가 Collection되는 형태로 Implantation이라는 공정상 한계로 고농도 도핑 되어 있는 Anode Tap 영역 아래로 고 저항 Epi Layer 영역 잔존하게 되는 구조적 단점이 있음. 하지만 공정이 비교적 간단하고 짧으며 Wafer 앞면에 Anode 및 Cathode 전극이 동시에 형성 가능하여 Package에 용이한 장점이 있어, 전극으로의 성능 및 Package 용이성, 공정 단순성 들을 고려하였을 때 단일광자검출센서 양산 공정에 가장 적합한 표준공정이라 판단됨.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 결과물 ○ 공정 결과물 특성 - Resistance Analysis : 소자 제작 후 Anode 전극 Resistance 분석
3. 공정순서
4. 공정 조건