| 단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Trench Type Anode 구조)
문서번호 | PLA03202006 | 작성일 | 2020. 5. 29. |
소속 | 나노종합기술원 | 담당자 | 설우석 |
연락처 | 042-366-1605 | 이메일 | wssul@nnfc.re.kr |
[ 공 정 규 격 서 ] |
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공정명 | 단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Trench Type Anode 구조) | 공정분류 | 소자/센서 |
1. 공정 목적 및 용도 | |||
○ 공정 목적 나노 실리콘기반 단일광자검출센서의 저저항, 고신뢰성 Trench-Type Anode 전극 제작을 위한 표준공정. Trench-Type Anode 전극은 복잡한 공정 및 높은 제작비용 등의 단점도 있으나, 낮은 저항 특성과 Wafer 앞면에 Anode 및 Cathode 전극이 동시에 형성 가능하여 Package에 용이한 장점이 있음. |
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2. 공정 구조 및 특성 | |||
○ 공정 결과물 ○ 공정 결과물 특성 - Construction Analysis : Trench-type Anode 전극 단면 분석 : Trench 관련 (Depth, Size, Slope Angle 등 Trench Profile, Silicon Damage 등), 전극 관련 (계면, Void, Sidewall Isolation 등) - Resistance Analysis : 소자 제작 후 Anode 전극 Resistance 분석 |
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3. 공정순서 | |||
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4. 공정 조건 | |||
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