| 저온 In-situ doped SiGe 선택적 에피 성장 공정도

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문서번호 PLA01201707 작성일 2018. 12. 10.
소속 고려대학교 담당자 유현용
연락처 010-8589-8968 이메일 yuhykr@korea.ac.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 저온 In-situ doped SiGe 선택적 에피 성장 공정도 공정분류 Deposition
1. 공정 목적 및 용도

○ 공정 목적 : 차세대 기술로 각광받고 있는 3차원 적층 구조에서 하부 층 소자의 열화를 방지하기 위한 저온의 상부 층 소스/드레인 형성 기술 개발이 필수적이며, strain engineering을 이용한 소자 특성 향상을 위하여 SiGe를 소스/드레인 물질로 선정하여 550 ℃ 이하의 공정온도를 갖는 in-situ doped SiGe 선택적 에피 성장 기술을 확보하고자 함.


○ 공정 용도 : 550 ℃ 이하의 공정온도를 갖는 in-situ doped SiGe 선택적 에피 성장 기술을 통하여 3차원 적층 구조에서의 하부 층 소자 열화를 방지하면서 고성능의 소자를 제작하기 위함.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조


○ 공정 특성




- 공정 장비 : UHV-CVD

- 공정 온도 : 500 ℃

- Window 물질 : PECVD Si3N4 (300 nm)

- 증착 형태 : Dep/Etch Cyclic Deposition (Deposition과 Etching을 반복적으로 진행)

- 증착된 SiGe의 분율 : Ge 40%

- 도핑 농도 : 2x1019 cm-3
3. 공정순서

4. 공정 조건