| 나노실리콘 센서용 회로기술 플랫폼

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문서번호 PLA04201702 작성일 나노실리콘 센서용
소속 나노종합기술원 담당자 김경태
연락처 042-366-1711 이메일 gtkim@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 나노실리콘 센서용 회로기술 플랫폼 공정분류 회로
1. 공정 목적 및 용도
○ 회로 목적 : 용량형/저항형/전류형/전압형 나노실리콘 센서에 사용되는 ROIC 기술 및 IP 확보

○ 회로 용도 : 용량형/저항형/전류형/전압형 나노실리콘 센서
2. 공정 구조 및 특성
2-1. 용량형센서용 프론트엔드 IC

- 제작공정 : 매그나칩반도체/SK하이닉스 180nm 1P6M 공정

- 전원전압 : 3.3V



2-2. 저항형센서용 프론트엔드 IC

- 제작공정 : 매그나칩반도체/SK하이닉스 180nm 1P6M 공정

- 전원전압 : 3.3V



2-3. 전압형센서용 프론트엔드 IC

- 제작공정 : 매그나칩반도체/SK하이닉스 180nm 1P6M 공정

- 전원전압 : 3.3V

추후 업데이트 예정

3. 공정순서
3. 측정 환경

3-1. 사용 장비 : 전원공급 장치, 디지털 오실로스코프, 펄스 생성기, 다이나믹 신호 분석기


3-2. Evaluation board

- 제작한 용량/저항형 프론트엔드 IC을 이용한 나노 실리콘 센서 측정 및 성능 평가를 위한

evaluation board 제작

- 제작한 evaluation board artwork 및 evaluation board

- Evaluation board는 4층 기판 PCB로 제작 (1.6 T)



3-3. 회로 결과물

○ 용량형 프론트엔드 IC

- 잡음등가용량분해능 : 1.76 aF

- MEMS Z-axis accelerometer의 1g, 0g, -1g 변화에 따른 용량형 프론트엔드 IC 동작 검증 예시


○ 저항형 프론트엔드 IC

- 잡음등가저항분해능 : 1.12 mOhm

- Bridge resistor를 ±1 kOhm 변화시키면서 저항형 프론트엔드 IC 동작 검증 예시


○ 전압형 프론트엔드 IC

추후 업데이트 예정


○ 전류형 프론트엔드 IC

추후 업데이트 예정
4. 공정 조건
준비중