| 나노실리콘 기반 단일광자검출센서 공정플랫폼

장비검색
문서번호 PLA04201703 작성일 2017. 09. 01.
소속 나노종합기술원 담당자 설우석
연락처 042-366-1605 이메일 wssul@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 나노실리콘 기반 단일광자검출센서 공정플랫폼 공정분류 소자
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 : 작은 크기와 낮은 제작비용 등 사물인터넷용 센서에 적용 가능한 수준의 성능을 확보한 나노실리콘 반도체 기반 단일광자검출센서 공정플랫폼 기술을 구축함

○ 공정 용도 : 미세 광측정, 방사선 계측, 의료영상 진단, 바이오 형광분석 등 다양한 사물인터넷용 분야에 광범위하게 활용이 가능한 단일광자검출센서의 공정플랫폼을 제공함으로 관련 제품의 국산화기술 확보, 개발시간 최소화, 생산비용 절감 등 기술적, 경제적, 산업적 우위를 선점함
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등)



○ 공정 특성

- 중심 파장 : 약 420 nm

- 누설 전류 : 10 nA/mm2 이하

- 잡음 계수율 : 10 MHz/Channel 이하

- 내부 증폭률 (Gain) : 1 X 105 이상

- 광자 검출 효율 (Photon Detection Efficiency, PDE) : 13% 이상 (@ 파장 420 nm)

- 시간 분해능 (Timing Resolution) : 5 ns 이하 (LYSO 섬광체이용 광특성분석법 기준)

- 에너지 분해능 (Energy Resolution) : 15% 이하 (LYSO 섬광체이용 감마선분광법 기준)
3. 공정순서
4. 공정 조건