| 단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Backside Anode 구조)

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문서번호	PLA03202004	작성일	2020. 5. 29.
소속	나노종합기술원	담당자	설우석
연락처	042-366-1605	이메일	wssul@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	단일광자검출센서용 저저항, 고신뢰성 Anode 전극 제작을 위한 표준공정 (Backside Anode 구조)	공정분류	소자/센서
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 나노 실리콘기반 단일광자검출센서의 저저항, 고신뢰성 Backside Anode 전극 제작을 위한 표준공정. Backside Anode 구조는 Cathode 전극과 Anode 전극이 Wafer에 앞뒤에 형성되어 Package가 까다로운 단점이 있지만, 공정이 비교적 간단하고 짧으며 낮은 저항 특성을 얻을 수 있다는 장점이 있음.
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 결과물 ○ 공정 결과물 특성 - Resistance Analysis : 소자 제작 후 Anode 전극 Resistance 분석
3. 공정순서
4. 공정 조건