| Top-down 방식의 Poly-Si nanowire 소자 제작 공정

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문서번호	SA2019009	작성일	2019. 11. 28
소속	나노종합기술원	담당자	이종원
연락처	010-5577-3449	이메일	temuchin80@nnfc.re.kr
[ 공 정 규 격 서 ]
공정명	Top-down 방식의 Poly-Si nanowire 소자 제작 공정	공정분류	모듈공정
1. 공정 목적 및 용도
○ 공정 목적 기존 Si Epitaxial Growth 방식 대비 Poly-Si Deposition 방식을 적용함으로서 나노와이어 형성 재현성을 향상시키기 위함. ○ 공정 용도 Si 나노와이어 공정을 통하여 다양한 가스 물질을 센싱하기 위한 센서 구현
2. 공정 구조 및 특성
○ 공정 구조(사진 및 모식도/구조도 등) ○ 공정 특성 - 나노와이어 제작 Wafer : 8“, 나노와이어 직경 30 ~ 70 nm - 사전구조물 SiO2/SiN 두께 : ? 120/240 nm - Poly-Si 증착 조건: Poly-Si 두께 ? 300 nm, Poly-Si 증착온도 ? 600 도 - Poly-Si 도핑 조건: ? Dose 1014 ~ 1015 cm-2, Phosphorus - 나노와이어 소자 전류범위: 1 V 전압 기준 수십 nA ~ uA
3. 공정순서
4. 공정 조건