| Interposer 개발 제작 공정도

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문서번호 PLA05201706 작성일 2017. 05. 30.
소속 나노종합기술원 담당자 임부택
연락처 010-9884-4247 이메일 btlim@nnfc.re.kr

[ 공 정 규 격 서 ]
공정명 Interposer 개발 제작 공정도 공정분류 단위 공정
1. 공정 목적 및 용도
Device wafer의 측정 pad가 Vertical방향으로 형성되어 있을 경우 Wafer level packaging 공정 방법임.
2. 공정 구조 및 특성
공정 결과물(사진)





○ Interposer (Daisy Chain)



- Wafer thickness : 300um 이내

- Wafer 양면 pattern 형성

- 전기적 특성 : Daisy chain의 전기적 연결
3. 공정순서
4. 공정 조건